TSV 蚀刻、通孔平面揭露式硅蚀刻或晶圆减薄蚀刻
SPTS Omega® Plasma Etch
针对硅的等离子蚀刻系统
SPTS Omega® 等离子蚀刻系统包括 Rapier™ 等一系列应用于先进封装的高速硅蚀刻工艺腔体。Rapier™ 蚀刻腔体可用于在硅通孔或插入式 2.5D/3D-IC 封装应用中，刻蚀出垂直或锥形、高深宽比的通孔或沟槽，以及用于从晶圆背面通过平面揭露式蚀刻使孔中填充的铜柱露出。Rapier™ XE 工艺腔体结合了均匀性和蚀刻速率可调的工艺配方，其应用于平面硅刻蚀的刻蚀速率通常比同类系统快 2-4 倍。通过加入蚀刻停止层，同样的工艺可用于将晶圆极端减薄至 5µm 甚至 0.5µm。此外，KLA 还为 TSV 蚀刻、平面揭露式蚀刻及极端减薄蚀刻提供了独特的、受专利保护的蚀刻终点检测方案，实现了大规模量产中的最佳产出和良率。
SPTS Mosaic™ Plasma Dicing
等离子切割系统
SPTS Mosaic™ Plasma Dicing 系统提供了机械切割或激光切割技术的替代方案，用于从硅晶圆（直径高至 300 毫米，固定于框架上）中分离出晶粒。这种方案提供了一个低损伤、干法化学刻蚀的工艺，可增加晶粒强度和避免颗粒污染。当晶圆较薄或含有易碎的 Low-k 薄膜时，以及对于晶粒与晶圆键合的结构而言，这些优点尤其重要。作为一种并行工艺，等离子切割在切割小晶粒和/或薄晶圆时具有显著的产量、良率和成本优势。更窄的切割道允许每片晶圆有更多晶粒，并且没有对晶粒形状的限制，可以优化晶圆设计布局。
晶粒分离，特别适用于非常小的晶粒、薄晶圆或晶粒与晶圆键合的结构
SPTS Sigma® PVD
适用于金属沉积的物理气相沉积系统
SPTS Sigma® PVD 系统可用于在硅或模具晶圆上沉积金、铝、钛、钛钨和铜等金属。先进封装技术中采用的有机钝化和新型基板材料对凸块下金属化 (UBM) 和再分布层 (RDL) 提出了技术挑战。Sigma® PVD 系统采用创新的脱气和预清洁技术，可产生始终如一的低 Rc 值，同时还能提供比其他 PVD 系统高 2 倍的吞吐量。在 2.5D 和 3D-IC 应用中，KLA 的先进 Hi-Fill® 电离 PVD 源可在大高宽比 TSV 中提供世界一流的铜阻挡层/铜种覆盖率。
硅和 FO-WLP 模具晶圆、TSV 阻挡层/种子层上的凸块下金属 (UBM) 和重新分布层 (RDL)
SPTS Delta™ PECVD
等离子体增强化学气相沉积系统
针对先进封装应用，SPTS Delta™ PECVD 系统提供与 300mm 结合基板和模具兼容的低温沉积工艺。Delta™ PECVD 可在低至 110°C 的沉积温度下生产高质量且符合生产要求的 SiO 和 SiN 薄膜。SiN–SiO 薄膜叠层可在同一 PECVD 腔体中沉积，且具有高度可靠的电气性能和长期稳定性。薄膜和叠层应力可在很宽的范围内调节，而优化后的腔体硬件可实现比竞争 PECVD 系统最低的晶圆内应力范围。如果需要，可使用单晶圆和多晶圆脱气选项来加热除气基板并提高沉积薄膜质量。优化后的 SiO、TEOS SiO 和其他先进介电薄膜可用于熔合应用。
通孔后 TSV 衬垫、通孔暴露钝化、适用于减薄晶圆的应力补偿层、适用于熔合的电介质
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